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G3VM-41AY /41DY MOS FET繼電器
歐姆龍MOS FET繼電器_光耦繼電器_信號繼電器廠家

G3VM-41AY /41DY MOS FET繼電器

產品分類:MOS FET繼電器

接點構成:1a

接點電流(最大值):2000mA

線圈種類:

端子形狀:DIP4針 印刷基板用端子

保護構造:

  • 種類
  • 額定/性能
  • 外形尺寸
  • 注意事項

適合應用于模擬信號開關的小型通用MOS FET繼電器,通過光絕緣實現輸入輸出間耐壓為AC5kV
 觸發LED正向電流2mA(更大),耗電更省。 
 可用于微小模擬信號的開關。
 連續負載電流2A。

 種類

形狀 接點結構 端子種類 負載電壓(最大)* 型號 最小包裝單位
每桿裝數量 每卷裝數量
DIP4 1a 印刷基板用端子 20V G3VM-41AY 100
表面安裝端子 G3VM-41DY
G3VM-41DR(TR) 1,500
*負載電壓(最大):表示峰值AC、DC.

絕對最大額定(Ta??25

項目 符號 額定 單位 條件
輸入側 LED正向電流 IF 30 mA  
重復峰值LED正向電流 IFP 1 A 100μs脈沖、100pps
直流正向電流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向電壓 VR 5 V  
粘合部位溫度 TJ 125  
輸出側 負載電壓(峰值AC/DC) VOFF 40 V  
連續負載電流(峰值AC/DC) IO 2000 mA  
導通電流降低比率 △ION/℃ -20 mA/℃ Ta≧25℃
脈沖導通電流 Iop 6 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位溫度 TJ 125  
輸入輸出間耐壓(注1) VI-O 5000 Vrms AC持續1分鐘
使用環境溫度 Ta -40~+85 無結冰、無凝露
貯藏溫度 Tstg -55~+125 無結冰、無凝露
焊接溫度條件 260 10s
(注1):?測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED?針腳、受光側針腳統一地施加電壓。

電氣性能(Ta?25

項目 符號 最小 標準 最大 單位 條件
輸入側 LED正向電壓 VF 1.45 1.63 1.75 V IF=10mA
反向電流 IR 10 μA VR=5V
端子間電容 CT 40 pF V=0、f=1MHz
觸發LED反向電流 IFT 0.3 2 mA IO=120mA
復位LED反向電流 IFC 0.1 mA IOFF=10μA
輸出側 最大輸出導通電阻 RON 60 100 IF=5mA、IO=500mA、t<1s
90 150 IF=5mA、IO=500mA
開路時漏電流 ILEAK 1 μA VOFF=60V
端子間電容 C0FF 300 pF V=0、f=1MHz
輸入輸出間電容 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
輸入輸出間電容絕緣電阻 RI-O 1000 108 VI-O=500VDC、ROH≦60%
動作時間 tON

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