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G3VM-61B1/61E1 MOS FET繼電器
歐姆龍MOS FET繼電器_光耦繼電器_信號繼電器廠家

G3VM-61B1/61E1 MOS FET繼電器

產品分類:MOS FET繼電器

接點構成:1a

接點電流(最大值):500mA

線圈種類:

端子形狀:印刷電路板用、表面安裝

保護構造:

  • 種類
  • 額定/性能
  • 外形尺寸
  • 注意事項

 種類

形狀 接點結構 端子種類 負載電壓(最大)* 型號 每桿裝數量 每卷裝數量
DIP6 1a 印刷基板用端子 60V G3VM-61B1 50
表面安裝端子 G3VM-61E1
G3VM-61E1(TR) 1,500

*負載電壓(最大):表示峰值AC、DC。

絕對最大額定(Ta??25

項目 符號 額定 單位 條件
輸入側 LED正向電流 IF 50 mA  
反復峰值LED正向電流 IFP 1 A 100μs脈沖、100pps
直流正向電流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向電流 VR 5 V  
粘合部位溫度 TJ 125  
輸出側 輸出耐壓 VOFF 60 V  
連續負載電流 A連接 IO 500 A A連接:峰值AC/DC
B、C連接:DC
B連接 500
C連接 1000
導通電流降低比率 A連接 △IO/℃ -5 mA/℃ Ta≧25℃
B連接 -5
C連接 -10
脈沖導通電流 Iop 1.5 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位溫度 TJ 125  
輸入輸出間耐壓(注1) VI-O 2500 Vrms AC持續1分鐘
使用環境溫度 Ta -40~+85 無結冰、無冷凝
貯藏溫度 Tstg -55~+125 無結冰、無冷凝
焊接溫度條件 260 10s
(注1):測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED針腳、受光側針腳統一地施加電壓。

電氣性能(Ta?25

項目 符號 最小 標準 最大 單位 條件
輸入側 LED正向電流 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
反向電流 IR 10 μA VR=5V
端子間電容 CT 30 pF V=0、f=1MHz
觸發LED反向電壓 IFT 1.6 3 mA IO=500mA
復位LED反向電壓 IFC 0.1 mA IOFF=100μA
輸出側 最大輸出導通電阻 A連接 RON 1 2 Ω IF=5mA、Io=500mA
B連接 0.5 1 Ω IF=5mA、Io=500mA
C連接 0.25 Ω IF=5mA、Io=500mA

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